Плата бесперебойного ИП, много полезных деталей и их применение.
2024 ж. 7 Мам.
5 920 Рет қаралды
Мне пришла в посылке плата и я решил ее разобрать , объясняю куда пригодятся детали.
Мне пришла в посылке плата и я решил ее разобрать , объясняю куда пригодятся детали.
раньше этих плат было море на барахолке, стояли они по 10-20 грн. зо штуку. покупал их ради оригинальных полевиков для электроудочки. там даже были транзисторы типа 3205 и 2805 т.д, жаль сейчас они уже редкость.
Ёмкость должна быть в пределах нормы указанной в даташите на конкретный транзистор. Большая ёмкость - это как-бы не очень хорошо. Особенно на высоких частотах. В китайских подделках в корпус мощного транзистора ставят маленький кристалл, а потому и ёмкость они показывают меньшую от оригинала.
Да таких видео побольше бы😊 где видео нацти ваше первое о сборке блока питания)
О каком именно БП идёт речь?
@@diod самых первых видео. у вас с какого года видео на ютубе начали появлятся
@master-remonter 5 лет по моему.
@@diod все видео у вас самого начала, я просто не видел многие видео первые ваши. Интересно посмотреть )
@master-remonter Вот плейлист по БП.kzhead.info/channel/PLnLv6p4Plbxu2XdOGzBNgQZ4y6VdREf0h.html&si=smlCNhhevGASnx3T
Александр, здравствуйте и спасибо вам за ролик. Возможно, я ошибаюсь, но мне показалось, что прибор показал ***mH. Это - миллигенри. uH - это микрогенри. Но суть не в этом. Я тоже собираю всевозможные старые и неисправные электронные устройства и распаиваю их на детали. Много плат электросчётчиков. Оттуда беру плёночные и электролитические конденсаторы, отптроны, светодиоды, резисторы и т.п. Детали, конечно, копеечные. Но тут, как в поговорке: у кого-то жемчуг мелкий, а у кого-то щи пустые)). Удачи вам и вашим близким! 🌍☮️
МОП-транзисторы обладают очень малым сопротивлением открытого канала ( это их плюс ) и очень большой Сзи . При 3,37 нанофарадЫ ( а не нанофарадА ) для изменения Uзи на 1В на частоте 50 кГц требуется приращение входного тока затвора больше , чем на 1 мА ! При 40% свинца температура плавления припоя снижается до 183°С . Применение бессвинцового припоя имеет очень глубокий смысл : при демонтаже р/элементы из-за перегрева выходят из строя , чтобы ... неповадно было . Трещëтка - обычный ЭМ-й телефонный капсюль . Точка на микросхеме указывает на первый вывод . Номинал дросселя , так же как и резистора , маркируется цветными полосками . Дроссели , в зависимости от материала сердечника , делятся на НЧ и ВЧ , и это надо учитывать .
Там тугоплавкий без свинцовый припой, для более лёгкого демонтажа, его вначале надо разбавлять свинцово содержащим припоем и только потом выпаивать детали. На ютубе есть видео на эту тему, например у Домового.
Сано. 👍🤝
Емкость затвора и перехода база эмиттер косвенно, но достаточно достоверно свидетельствует о площади кристалла, как раз на чем экономят китайцы подделывая транзистор. Пару раз проверял разбивая транзисторы у меня было совпадение 100% малая емкость - малый кристалл. Подделки применить можно, но уже для других целей, например купленные поддельные на Али 13007 я использую в схемах вместо 13003, у них мощность такая-же да и емкость переходов тоже.
Поддельные можно параллелить
Почему косвенно ? Прямо !
Меня то же бесит бессвинцовый припой. Дурацкие и бестолковые современные нормативы... Я перед демонтажем особо ценных деталей (или для сохранности платы) разбавляю место пайки ПОС-61... А еще меня бесит отсутствие третьей руки. Сорок лет с паяльником, и все время мучаюсь... За 55 лет так и не выросла :)...
добавить лучше сплав розе
Купил маленькие настольные тиски, очень хорошая третья рука.
@@vytasj-370Похоже слесарь умный человек ,если тиски вечны и не заменимы🤗🤗🤗Сам использую,удобно.
хорошо когда есть что и откуда выпаять
Добрый день, есть интересная задумка, как лиру через 300м. подсоединить к тап 57 по палевке, и чтоб она не затухала?
Александр , мой комментарий - для любознательных . Прошу не удалять . Природный полупроводник ( п/п) обладает только собственной i проводимостью . Из него можно создать п/п с искусственной р или n проводимостью . Если плотно наложить друг на друга две гладкие ( отшлифованные , отполированные ) пластинки с разной ( р и n ) проводимостью , и даже предельно ( но аккуратно , без разрушения ) сжать их , никакого р-n перехода НЕ ОБРАЗУЕТСЯ . P- N переход ( другое его название - запорный слой ) создаëтся ТОЛЬКО в полупроводнике ОДНОГО ( р или n ) типа проводимости в результате ЛЕГИРОВАНИЯ этого полупроводника ( это - очень сложная технологическая операция ) . Когда в книге изображена нелегированная подложка р ( или n ) - типа с расположенными на ней нелегированными областями ИСТОКА , КАНАЛА ( встроенного или индуцированного на время действия электрического поля изолированного затвора самим этим полем ) и СТОКА n ( или р ) - типа , нужно понимать , что НИКАКИХ P-N ПЕРЕХОДОВ в этой структуре ( МОП - транзистора ) НЕТ ( полупроводники-то не легированы ) ! Малое сопротивление открытого канала обеспечивается именно отсутствием р-n переходов .
На этот припой добавляй свой припой,и будет всё ок(смешиваешь)
Интересно, а лабораторничек на таких транзисторах линейный можно собрать???? Если можно, то схемку бы такую....
Нет , эти транзисторы не годятся для работы в линейных стабилизаторах ( и вообще в линейных схемах ) .
4:30 чем выше емкость перехода транзистора, тем не транзистор качественней, а ток больше он пропускать может. Но с ростом емкости понижается частота на которой может работать данный транзистор.
Чем выше ëмкость затвора ( никаких переходов в МОП -структурах нет ) , тем хуже . Большая Сзи - огромный недостаток , а не достоинство .
@@user-ss6cb3mm6o ну не переход там, а как назвать... Один фиг блямба разнополярная с проводником n или p, и чем выше ток она регулирует тем эта блямба больше. А чем она больше по площади, тем больше ёмкость затвора. А чем больше емкость, тем ниже пропускная частота.
связь максималного тока и емкости затвора весма условная ! я бы сказал -ПРИТЯНУТА ЗА УШИ я брал онигиналные 6n60 8n60 и подобны по параметрам транзистора Skxxx так вот при равных параметрах емкость 2 заметно ниже !!! притом что сопротивлени канала не боле чем у 1! тоесть все зависит от технологии производства
@@foxmolder6408 кто с этим спорит? Для высокочастотных и затвор в сток-исток заглубляют, а не снаружи ляпают. Чего только не придумывают и что только не делают.
@@foxmolder6408 а как вы весь канал перекроете из одной точки? Чем больше проводящий канал, тем больше затвор на нём сидящий.
Максимально допустимый импульсный ток корпуса ТО-220 составляет 75А, хотья допустим ток стока İRF3205-110A, a İRF1404-160A (оба собраны в корпусе ТО-220).
Важен не ток корпуса , а максимальный безопасный ток кристалла .
@@user-ss6cb3mm6o А ведь этот безопасный ток протекает через тонкие выводы этого корпуса.
по поводу емкости мосфетоф GS- примерно можно ЕЕ исползовать для оценки но при услови налитчия эталона -оригинала но это шаманство ...лучше оценивать по сопротивлению канала при заявленом токе при UGS>=10v!! -1значная оценка но нужен мощный источсник тока для 100а мосфэтоф на 100а и миливолтметр мерить падени на канале и прибор позвооляющий проверять на пробой при USDmax по сути надо купить или делать спецприбор-силовой ПП тестер но детали с донороф не подвергавшихся ремонту 99.9%-ОРИГИНАЛ а вот покупные и особено присланые с Алехи по бошими ?????! там может быт и чесный неликвид(не хоодовые типы элементоф) и откровеное фуфло с детским кристалом 1.5мм и перемаркер с боле дешевой детали например попадали транзисторы низковолтные 30-100в продаваемы ка ВВ(600) ключи естествено если тако впаять и включит вас ждет БАБАХ! транзитестер маркуса такое не определит никак - он тестит на токе 6ма и напряжени 5в что до зенероф на импортных обычно указана цифра(цифры) в них закодирован напряжометр например 5V6=5.6v 27z=27v насчет lm317 зря ты на нее гониш в поверкомах детали толка оригинал а форма подложки разная с ST своя(с скруглениями) у других бренд-своя есть и такие где просто чисто прямоуголник с дыркой (ТО220) спеки это допускають-уточняте по даташиту конкретно бренда! снятые детали надо обязателно провекрять -апарат-донор мог быть неисправен! что до раскурочки подобных UPS их лучше переделать в автоинвертор они расчитаны на транс с 0точкой по холодной части и неважно какой мощности (но не боле той что была конечно) например из такой платы прекрасно делается инвертор на 30-90вт! для питания скажем неболшо ПС в автомобиле или питания компа через штатный бп достоинво такой схемы -питани от 1 акб 12в и возможность автономного старта без сети(далеко не каждый смарт UPS это разрешает
👍
Может этот стабилитрон нужен для получения стабильного напряжения 22 В, для управления полевыми транзисторами 🤔 Лучше будет понятно по скачанной схеме ИБП.
Отлично!👍
Не по подложкам транзисторы смотрят была партия с расписными подложками 460 беспонтовые в край так что не агетируйте народ не по подложке смотрят транзистры
🖐👍👍👍
50 ампер, при напряжении 2.6 вольт(131 ватт / 50 ампер = 2.6 вольт), выводы этого корпуса легко выдержат.
@@user-ss6cb3mm6o , если у тебя напряжение в амперах измеряется, или ты читать не умеешь, то тебе в школу, а не комментарии для больших дяденек писать.
Вообще-то, чем больше ёмкость перехода , тем хуже!!!, а не лучше. При работе в ключевом режиме, паразитная ёмкость перехода не даёт быстро переключиться, тем самым нагревая переход, а это хуже!!!!!!!!
Никаких переходов в МОП-транзисторах нет !
@@user-ss6cb3mm6o , тебе в школу, я же говорил, в МОП транзисторах переходы есть.
@@xow998 Природный полупроводник ( п/п ) обладает только собственной i проводимостью . Из него можно создать п/п с искусственной р или п проводимостью . Если сделать бутерброд из двух ( отшлифованных-отполированных ) пластинок разной проводимости и сильно , вплоть до полного разрушения , сжать их , никакого р-п перехода НЕ ОБРАЗУЕТСЯ ! P-N переход ( т.е. иначе ЗАПОРНЫЙ СЛОЙ ) создаëтся ТОЛЬКО в полупроводнике ОДНОГО ( р или п ) ТИПА ПРОВОДИМОСТИ в результате т.н. легирования полупроводника ( очень сложной технологической операции ) . Когда на картинке изображена нелегировнная подложка р ( или п ) - типа с расположенными на ней нелегированными областями истока , канала ( встроенного или индуцированного на время действия внешнего электрического поля изолированного затвора самим этим полем ) и стока п ( или р ) - типа , нужно понимать , что НИКАКИХ р-п переходов в этой структуре ( МОП - транзистора ) НЕТ . Малое сопротивление открытого канала обеспечивается именно отсутствием р-п переходов .
Тут не так много деталей с тем что сейчас есть, не на smd тоже.